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    来源:长春市融浦科技有限责任公司 发布日期:2016-09-28 10:43:57

     1.MB芯片定义与特点

      定义:lBonding(金属粘着)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。

      特点: (1)采用高散热系数的材料---Si作为衬底,散热容易。 ThermalConductivity GaAs:46W/m-K GaP:77W/m-K Si:125~150W/m-K Cupper:300~400W/m-k SiC:490W/m-K.

      (2)通过金属层来接合(waferbonding)磊晶层和衬底,同时反射光子,避免衬底的吸收。

      (3)导电的Si衬底取代GaAs衬底,具备良好的热传导能力(导热系数相差3~4倍),更适 应于高驱动电流领域。

      (4)底部金属反射层,有利于光度的提升及散热。

      (5)尺寸可加大,应用于Highpower领域,eg:42milMB.

      2.GB芯片定义和特点

      定义:GlueBonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专利产品。

      特点: (1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底,其出光功率是传统AS(Absorbable structure) 芯片的2倍以上,蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。

      (2)芯片四面发光,具有出色的Pattern图。

      (3)亮度方面,其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。

      (4)双电极结构,其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。

      3.TS芯片定义和特点

      定义:transparentstructure(透明衬底)芯片,该芯片属于HP的专利产品。

      特点: (1)芯片工艺制作复杂,远高于ASLED.

      (2)信赖性卓越。

      (3)透明的GaP衬底,不吸收光,亮度高。

      (4)应用广泛。

      4.AS芯片定义与特点

      定义:Absorbablestructure(吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力,台湾LED光 电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售 处于成熟的阶段,各大公司在此方面的研发水平 基本处于同一水平,差距不大。 大陆芯片制造业起步较晚,其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距,在这里我们所 谈的AS芯片,特指UEC的AS芯片,eg:712SOL-VR,709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR等。

      特点: (1)四元芯片,采用MOVPE工艺制备,亮度相对于常规芯片要亮。

      (2)信赖性优良。

      (3)应用广泛。

      发光二极管芯片材料磊晶种类:

      1.LPE:LiquidPhaseEpitaxy(液相磊晶法)GaP/GaP 2.VPE:VaporPhaseEpitaxy(气相磊晶法)GaAsP/GaAs 3.MOVPE:lOrganicVaporPhaseEpitaxy(有机金属气相磊晶法)AlGaInP、GaN 4.SH:GaAlAs/GaAsSingleHeterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs 5.DH:GaAlAs/GaAsDoubleHeterostructure(双异型结构)GaAlAs/GaAs 6.DDH:GaAlAs/GaAlAsDoubleHeterostructure(双异型结构)GaAlAs/GaAlAs

      LED芯片组成及发光 LED晶片的组成:主要有砷(AS)铝(AL)镓(Ga)铟(IN)磷(P)氮(N)锶(Si)这几种元素中的 若干种组成。

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